Transistors. Page 101 sur 114. Avtronic

Transistor MOSFET canal-P RFD8P05SM

5.38€ TTC

146 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 50V 8A/20Ap 48W. Résistance passante RDSon : 0.3 Ohms (6A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor RFP3055

3.98€ TTC

63 En stock

Transistor RFP3055 N-MOS 60V 12A 53W<0.15R TO220. Enhancement-Mode Power MOSFET. MegaFET. Constructeur: HARRIS. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.15. Puissance: 53 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor RFP50N06

4.48€ TTC

16 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 50A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 50A. Puissance: 131W. Résistance Rds: 0.022 Ohms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

0

Tarifs dégressifs

Transistor RFP70N06

8.34€ TTC

18 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 70A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 70A. Puissance: 150W. Résistance Rds: 0.014 Ohms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

0

Tarifs dégressifs

Transistor RJH3047DPK

35.78€ TTC

15 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 330V. Courant de collecteur maxi: 50A. Puissance: 312W. Vce(sat): 1.6V. Boîtier: TO-3P. trr: 0.1us

0

Tarifs dégressifs

Transistor RJH3077DPK

35.78€ TTC

23 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 330V. Courant de collecteur maxi: 50A. Puissance: 312W. Vce(sat): 1.5V. Boîtier: TO-3P. trr: 0.06us

0

Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N RJH30H2DPK-M0

36.34€ TTC

48 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 300V 35A/250Ap. 60W Vce(sat)1.4V

0

Tarifs dégressifs

Transistor RJK5010

30.97€ TTC

3 En stock

Transistor RJK5010 N-MOS 500V 20A 178W. FIELD EFFECT POWER MOSFET. Constructeur: Renesas Technology. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Puissance: 178 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor RJK5020DPK

43.34€ TTC

9 En stock

Transistor RJK5020DPK N-MOS 500V 40A/120Ap. 200W Rds(on): 0.102R. Silicon N Channel MOSFET. Trr: 450nS. td(on): 52nS. td(off): 180nS. Constructeur: Renesas Technology. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 40 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor RJP30E4

31.64€ TTC

12 En stock

Transistor IGBT N Panasonic Plasma tv. Boîtier: TO-263. Boîtier: D2PAK.

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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N RJP63F4A

36.85€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT canal-N. TO-220F Panasonic: B1JAER000012

0

Tarifs dégressifs

Transistor RK7002

2.69€ TTC

970 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 0.115A. Puissance: 0.2W. Rds: 7.5 Ohm. Silicon N-channel MOSFET. Interface and switching. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: RKM.

0

Tarifs dégressifs

Transistor RK7002A

2.18€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 0.3A. Puissance: 0.2W. Rds: 0.7 Ohm. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: RKS.

0

Tarifs dégressifs

Transistor RN1409

6.05€ TTC

1 En stock

Transistor CMS bipolaire NPN. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant de collecteur maxi: 0.1A. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: XJ. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée: Rb=47K Rbe=22K. Puissance: 0.2 W

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Tarifs dégressifs

Transistor RSQ035P03

2.91€ TTC

65 En stock

Transistor MOSFET canal P+Z CMS 30V 3.5A/14Ap 1.25W 0.065R 6p.

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Tarifs dégressifs

Transistor RSR025N03TL

3.53€ TTC

152 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 2.5A. Puissance: 1W. Rds: 0.074 Ohm. Boîtier: TSMT3. Marquage CMS: QY.

0

Tarifs dégressifs

Transistor RSS095N05

7.11€ TTC

11 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 45V. Courant de drain maxi: 9.5A. Puissance: 2W. Rds<0.014 Ohm. Boîtier: SO8.

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Tarifs dégressifs

Transistor RSS100N03

3.08€ TTC

66 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 10A. Puissance: 2W. Rds<0.0125 Ohm. Boîtier: SO8.

0

Tarifs dégressifs

Transistor S2000A

5.94€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN S2000A 1500V 8A 125W 0.7uS TV/HA. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Constructeur: TOS. Puissance: 125 W

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Tarifs dégressifs

Transistor S2000N-TOS

6.72€ TTC

3 En stock

Transistor NPN S2000N-TOS 1500V 8A 50W 0.7uS. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-247F. Constructeur: TOS. isolé. Puissance: 50 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor S2055N-TOS

6.61€ TTC

19 En stock

Transistor NPN S2055N-TOS (+diode)1500V 8A 50W SMPS. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-247F. S2055AF. Constructeur: TOS. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée. Puissance: 50 W

0

Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor MOSFET canal-P RFD8P05SM

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 50V 8A/20Ap 48W. Résistance passante RDSon : 0.3 Ohms (6A)

Transistor RFP3055

Transistor RFP3055 N-MOS 60V 12A 53W<0.15R TO220. Enhancement-Mode Power MOSFET. MegaFET. Constructeur: HARRIS. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.15. Puissance: 53 W

Transistor RFP50N06

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 50A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 50A. Puissance: 131W. Résistance Rds: 0.022 Ohms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

Transistor RFP70N06

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 70A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 70A. Puissance: 150W. Résistance Rds: 0.014 Ohms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

Transistor RJH3047DPK

Transistor IGBT N (+diode) 330V. Courant de collecteur maxi: 50A. Puissance: 312W. Vce(sat): 1.6V. Boîtier: TO-3P. trr: 0.1us

Transistor RJH3077DPK

Transistor IGBT N (+diode) 330V. Courant de collecteur maxi: 50A. Puissance: 312W. Vce(sat): 1.5V. Boîtier: TO-3P. trr: 0.06us

Transistor IGBT canal-N RJH30H2DPK-M0

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 300V 35A/250Ap. 60W Vce(sat)1.4V

Transistor RJK5010

Transistor RJK5010 N-MOS 500V 20A 178W. FIELD EFFECT POWER MOSFET. Constructeur: Renesas Technology. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Puissance: 178 W

Transistor RJK5020DPK

Transistor RJK5020DPK N-MOS 500V 40A/120Ap. 200W Rds(on): 0.102R. Silicon N Channel MOSFET. Trr: 450nS. td(on): 52nS. td(off): 180nS. Constructeur: Renesas Technology. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 40 A.

Transistor RJP30E4

Transistor IGBT N Panasonic Plasma tv. Boîtier: TO-263. Boîtier: D2PAK.

Transistor IGBT canal-N RJP63F4A

Transistor IGBT canal-N. TO-220F Panasonic: B1JAER000012

Transistor RK7002

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 0.115A. Puissance: 0.2W. Rds: 7.5 Ohm. Silicon N-channel MOSFET. Interface and switching. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: RKM.

Transistor RK7002A

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 0.3A. Puissance: 0.2W. Rds: 0.7 Ohm. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: RKS.

Transistor RN1409

Transistor CMS bipolaire NPN. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant de collecteur maxi: 0.1A. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: XJ. Résistance de polarisation base/émetteur intégrée: Rb=47K Rbe=22K. Puissance: 0.2 W

Transistor RSQ035P03

Transistor MOSFET canal P+Z CMS 30V 3.5A/14Ap 1.25W 0.065R 6p.

Transistor RSR025N03TL

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 2.5A. Puissance: 1W. Rds: 0.074 Ohm. Boîtier: TSMT3. Marquage CMS: QY.

Transistor RSS095N05

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 45V. Courant de drain maxi: 9.5A. Puissance: 2W. Rds<0.014 Ohm. Boîtier: SO8.

Transistor RSS100N03

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 10A. Puissance: 2W. Rds<0.0125 Ohm. Boîtier: SO8.

Transistor S2000A

Transistor NPN S2000A 1500V 8A 125W 0.7uS TV/HA. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Constructeur: TOS. Puissance: 125 W

Transistor S2000N-TOS

Transistor NPN S2000N-TOS 1500V 8A 50W 0.7uS. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-247F. Constructeur: TOS. isolé. Puissance: 50 W

Transistor S2055N-TOS

Transistor NPN S2055N-TOS (+diode)1500V 8A 50W SMPS. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-247F. S2055AF. Constructeur: TOS. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée. Puissance: 50 W

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